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场效应管前置放大器电路解析

关注列表来源:壹芯微发布日期 2021-04-06 浏览:-

场效应管前置放大器电路解析

图1为100MHz,频带的RF放大器,RF放大器的要求是NF要良好增益要高,以往,这两项要求总是会有顾此失彼的情形,因此要在电路上下一番工夫,但是近来由于元件及装置等之性能改善很多,使用价廉的MOS FET就可以很简单的制作完成。调整的方法如下所示:首先,请依图2之方式配线,循迹产生器(Tracking Generator)之信号经过阻抗桥(Impedance

Bridge),大约有-30~-40dBM的信号就输入至前置放大器的输入端,若输入电平太大的话会使FET饱和,因此要特别注意。接着,调整天线输入端的微调电容器(Trimmer)及输入调谐微调电容器使SWR达1,意即将回流损失(Return Loss)调至最大,具体而言,若以频谱分析仪(Spectrum AnaIyzer)将频谱的电平调整至最小是最佳的方式。而输出侧微调电容器的调整方法与输入侧同样,输入适当的信号,调整使电路得到最大的增益。以上是以仪器调整的方法,但是在使用之际,还需要再接上实际使用的天线,再一次调整输入微调电容器使接收的情况达到最佳。

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